脉冲激光沉积法制备ZnO基薄膜研究进展
Recent advances on ZnO-based films synthesized by pulsed laser deposition作者机构：中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽合肥230031
出 版 物：《量子电子学报》 (Chinese Journal of Quantum Electronics)
年 卷 期：2006年第23卷第1期
页 面：1-9页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：中国科学院安徽光机所资助项目
摘 要：作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ半导体材料, ZnO具有优良的光学和电学性能,在紫外光发射器件、自旋功能器件、气体探测器、表面声波器件等领域有着广阔的应用前景。首先介绍了ZnO材料和脉冲激光溅射法的一些相关内容,然后从材料制备角度着重阐述了目前利用脉冲激光沉积法(PLD)制备ZnO基薄膜的若干重要研究方向,例如p型掺杂、 p-n结的制备、 Mg掺杂、 Cd掺杂和磁性离子掺杂等。
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