相邻道址插值法合成γ能谱

作     者：陈伟 刘文彪 王雪梅 刘俊 田言杰 CHEN Wei, LIU Wen-biao, WANG Xue-mei, LIU Jun, TIAN Yan-jie

作者机构：西北核技术研究所西安710024 

出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期：2017年第37卷第8期

页      面：812-814页

学科分类：082704[工学-辐射防护及环境保护] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0804[工学-仪器科学与技术] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 1009[医学-特种医学] 0702[理学-物理学] 

主　　题：插值法 NaI(Tl)阵列探测器 γ能谱合成 

摘      要：为实现阵列探测器的γ能谱合成,提出了基于拉格朗日线性插值原理的相邻道址插值法合成γ能谱。使用两个10.16 cm×10.16 cm×40.64 cm探测器组成的阵列进行了方法验证。实验结果表明,用该方法合成的γ能谱的662 ke V全能峰计数相对合成前两个能谱的662 ke V全能峰计数之和偏差为-0.5%,合成能谱的FWHM@662 ke V大于2号探测器、小于1号探测器测得的能谱。