一种缓冲器阻抗动态调整的LDO

作     者：胡云斌 胡永贵 周前能 HU Yunbin;HU Yonggui;ZHOU Qianneng

作者机构：重庆邮电大学重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2017年第47卷第6期

页      面：739-742页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090113150C09043) 

主　　题：低压差线性稳压器 源级跟随器 快速瞬态响应 

摘      要：提出了一种缓冲器阻抗动态调整的LDO结构。采用并联负反馈和阻抗动态调整技术,显著降低了缓冲级的输出阻抗,没有增加额外的静态电流,功率管栅极极点始终远在单位增益带宽之外,对稳定性没有影响。该缓冲级增大了功率管栅极的摆率,提高了LDO瞬态响应性能。基于TSMC 0.18μm 3.3VCMOS工艺进行设计,该LDO的输出电压为1.8V,压差电压为0.2V,最大输出电流为100mA。仿真结果显示,LDO的静态电流只有5μA,当负载电流在10ns内从0mA跳变到100mA时,输出欠冲和过冲电压分别为88.2mV和34.8mV。