方波脉冲下不同纳米添加物对聚酰亚胺薄膜电气性能影响
Effects of Different Nano Fillers on Electrical Properties of Polyimide Films Under Impulse Voltage作者机构：西南交通大学电气工程学院
出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)
年 卷 期：2017年第43卷第12期
页 面：3819-3826页
核心收录：
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 080204[工学-车辆工程] 0802[工学-机械工程]
基 金：国家自然科学基金(51177136) 国家杰出青年基金(51325704)~~
主 题：聚酰亚胺 方波脉冲 不同纳米添加物 介电频谱 局部放电 耐电晕
摘 要：为了研究不同纳米添加物对聚酰亚胺(polyimide,PI)电气性能的影响,采用原位聚合法制备了纯PI薄膜、PI质量分数10%的PI/SiO和PI/AlO纳米复合薄膜,测试其电导率(表面、体积电导率)、介电频谱、方波脉冲下的局部放电以及耐电晕性能,并用SEM观察击穿点周围的表面形貌。结果表明:PI/SiO膜的电导率大于PI/AlO膜,其中表面电导率是PI/AlO膜的6倍;PI/AlO膜、PI/SiO膜、PI膜的介电常数依次降低;PI/SiO膜和纯PI膜的介电损耗角正切值(tanδ)随频率的增加先减小后增大,PI/AlO膜的tanδ值在6 k Hz后最大;由于空间电荷弛豫,PI/AlO膜的tanδ值在0.02Hz左右出现了一个峰值;另外,因为电荷扩散能力不同,PI/SiO膜、PI/AlO膜以及PI膜的局部放电起始电压和耐电晕时间依次减小,而局部放电的平均幅值则依次增大;电晕放电使得3种薄膜表面都形成了很多微孔、裂纹,纳米复合薄膜表面出现块状物。研究结果表明:复合薄膜中界面体积分数和纳米粒子极性,是造成PI/SiO薄膜和PI/AlO薄膜电气性能差异的主要原因。
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