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基于腔QED系统的量子相位门设计

On Design of Quantum-Phase Gate Based on Cavity QED

作     者:邹世乾 沈真 曾凡金 周士芸 ZOU Shiqian;SHEN Zhen;ZEN Fanjin;ZHOU Shiyun

作者机构:安顺学院数理学院贵州安顺56100 西南大学物理科学与技术学院重庆400715 

出 版 物:《西南师范大学学报(自然科学版)》 (Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition))

年 卷 期:2015年第40卷第3期

页      面:44-47页

学科分类:070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基  金:贵州省教育厅重点课题(黔教合KY字025号) 三方联合基金(黔科合J字LKA14号) 三方联合基金(黔教合LH7512) 

主  题:腔QED 全同二能级原子 光场 量子相位门 

摘      要:提出一个基于腔QED系统实现量子相位门的设计方案.结果表明:在两个全同的二能级原子与光场相互作用过程中,借助经典场对原子实施Rabi翻转,控制原子射入腔场的速度v,选择原子与场相互作用参数l0,n和κ,可实现量子相位门.

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