铜镍诱导非晶硅晶化机制研究

作     者：崔东庆 简玮 余云鹏 林舜辉 王江涌 CUI Dongqing;JIAN Wei;YU Yunpeng;LIN Shunhui;WANG Jiangyong

作者机构：汕头大学理学院物理系广东汕头515063 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2017年第48卷第11期

页      面：11161-11167页

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11274218) 

主　　题：金属诱导晶化 界面热力学 金属硅化物 铜 镍 

摘      要：对可形成硅化物的金属铜、镍诱导非晶硅晶化机制进行了研究。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和磁控溅射制备了Cu/a-Si、Ni/a-Si双层薄膜系列样品,并对制备的样品进行了退火处理,然后利用X射线衍射仪和拉曼光谱仪对样品进行了表征。结果表明,对2个双层膜体系退火,首先生成金属硅化物,然后当温度升高到一定值时才会发生非晶硅晶化。利用界面热力学解释了铜、镍诱导非晶硅晶化的机制,以及金属硅化物在诱导过程中的作用。