高低温条件下氟化锂材料的离子激发发光光谱分析

作     者：仇猛淋 王广甫 褚莹洁 郑力 胥密 殷鹏 Qiu Meng-Lin;Wang Guang-Fu;Chu Ying-Jie;Zheng Li;Xu Mi;Yin Peng

作者机构：北京师范大学核科学与技术学院北京100875 北京市辐射中心北京100875 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2017年第66卷第20期

页      面：215-221页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070302[理学-分析化学] 0703[理学-化学] 

主　　题：离子激发发光 高低温 氟化锂 

摘      要：在北京师范大学GIC4117串列加速器原有离子激发发光(ion beam induced luminescence,IBIL)分析靶室基础上,安装了可实现80—900 K温度范围内精确控温的冷热样品台,实现高低温条件下IBIL光谱的测量.添加金硅面垒探测器,在离子辐照材料样品过程中同步采集背散射离子的计数,实现束流的在线监测.在不同温度下,利用2 MeV H^+束轰击氟化锂样品,获得的IBIL光谱中可明显观察到温度对不同发光中心发光效果的影响:激子峰和杂质峰发光在低温条件下更为清晰;高温时各类型F色心的发光强度在较小的注量下即可达到饱和值或开始衰减.辐照初期受扰激子峰(296 nm)发光强度的上升过程表明不能排除受扰激子峰与点缺陷发光中心相关的可能性,激子峰强度的上升源自低注量时核弹性碰撞产生的应变键;温度对空位迁徙速率及非辐射复合的影响是造成发光强度随注量演变差异的重要原因.