硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响

作     者：林列 蔡宏琨 张德贤 孙云 郝延明 

作者机构：南开大学信息技术科学学院天津300071 天津师范大学物理系天津300074 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2003年第14卷第11期

页      面：1146-1148页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家"863"计划资助项目(2002AA715081) 国家"973"计划资助项目(ZM200202A01) 

主　　题：硼掺杂 非晶硅薄膜 电导率 太阳电池 光电转换效率 

摘      要：对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究。结果表明:当B2H6/SiH4由0.6%增加到0.8%时,a Si薄膜的暗电导率由10-5(Ω·cm)-1急剧增加到10-1(Ω·cm)-1;进一步增加B2H6/SiH4时,暗电导率增加缓慢;当B2H6/SiH4大于1.0%时,暗电导率急剧下降。对B2H6/SiH4为1.0%及1.2%的P层材料制备的太阳电池的研究结果表明:采用B2H6/SiH4为1.2%的光电转换效率优于1.0%。