量子阱数量变化对双波长LED作用的研究

作     者：张运炎 范广涵 Zhang Yun-Yan Fan Guan-Han(Institute of Opto-Electronic Materials and Technology,South China Normal University,Guangzhou 510631,Chian)

作者机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所广州510631 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2011年第60卷第7期

页      面：814-821页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：2009年省部产学研结合引导项目(批准号:2009B090300338) 2010年省部产学研结合引导项目(批准号:2010B090400192)资助的课题 粤港关键领域重点突破项目(批准号:2007A010501008) 教育部博士点基金(批准号:350163) 

主　　题：量子阱 数量 数值模拟 双波长发光二极管 

摘      要：采用软件理论分析的方法分析了InGaN/GaN量子阱数量变化对双波长发光二极管发光光谱、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等产生的影响.分析结果表明,量子阱数量的增加会引起载流子分配不均的现象,所以量子阱数量的增加并不能有效地提升载流子复合率、内量子效率和发光强度,还会引起开启电压升高的现象,影响能量转化效率.此外,不同发光波长的量子阱数量的增加会引起发光光谱强度的变化.