启明星1#实验装置ks、keff和φ^＊的模拟计算

作     者：郭广水 于涛 夏普 GUO Guang-shui;YU Tao;XIA Pu

作者机构：南华大学核科学与技术学院中国原子能科学研究院湖南衡阳421001北京102413 

出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期：2008年第42卷第2期

页      面：185-188页

核心收录：

学科分类：08[工学] 082701[工学-核能科学与工程] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10575139) 

主　　题：启明星1#实验装置 MCNP程序 有源次临界中子有效增殖因子 有效增殖系数 外源中子平均价值 

摘      要：用MCNP程序对启明星1#实验装置(Venus 1#)的ks、keff和φ*进行模拟计算。在装置的源区、快区、反射层、屏蔽层已定条件下,逐层增加热区燃料元件,每增加1层,对ks、keff和φ*进行1次计算,共增加了13层,最终得到keff为0.962 46,满足了Venus 1#的设计要求。元件层数增加,φ*先增后降,当增至12层时,φ*又明显增大。外源位置和能量对φ*有影响,外源在轴向离中心越近、能量越高,φ*越大。