Ni-Al-V合金L1_2相间有序畴界面的微观相场模拟

作     者：张明义 王永欣 陈铮 张静 赵彦 甄辉辉 ZHANG Mingyi;WANG Yongxin;CHEN Zheng;ZHANG Jing;ZHAO Yan;ZHEN Huihui

作者机构：西北工业大学材料学院西安710072 

出 版 物：《金属学报》 (Acta Metallurgica Sinica)

年 卷 期：2007年第43卷第10期

页      面：1101-1106页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金项目50671084 陕西省自然科学基金项目2003E106资助 

主　　题：Ni-Al-V合金 L12(Ni3Al)相 有序畴界 成分偏聚 界面迁移 微观相场 

摘      要：利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L1_2(Ni_3Al)相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究.结果表明:L1_2相间存在3种稳定的平移界面以及2种过渡界面;界面的迁移性与界面结构有关,一个L1_2相的(100)和另一个L1_2相的(200)对应且有两个Ni原子面的界面以及(100)和(100)对应且有两个Ni原子面的稳定界面可以迁移,迁移前后界面结构保持不变,迁移的过程中形成过渡界面;而(100)和(200)对应且有一个Ni原子面的稳定界面则不可迁移.合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,Al原子在所有界面处贫化,V原子在所有界面处偏聚,Ni原子在可迁移界面处贫化,而在不可迁移界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度不同.