同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

作     者：王长顺 潘煦 Urisu Tsuneo Wang Chang-Shun;Pan Xu;Urisu Tsuneo

作者机构：上海交通大学物理系上海200240 Institute for Molecular Science Okazaki 444-8585 Japan 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2006年第55卷第11期

页      面：6163-6167页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60177003 10675083) 上海应用材料研究和发展基金(批准号:0416)资助的课题.~~ 

主　　题：同步辐射刻蚀 接触型钴掩模 二氧化硅薄膜 

摘      要：利用热氧化法在硅晶片上生长SiO2薄膜,结合光刻和磁控溅射技术在SiO2薄膜表面制备接触型钴掩模,通过掩模方法在硅表面开展了同步辐射光激励的表面刻蚀研究,在室温下制备了SiO2薄膜的刻蚀图样.实验结果表明:在同步辐射光照射下,通入SF6气体可以有效地对SiO2薄膜进行各向异性刻蚀,并在一定的气压范围内,刻蚀率随SF6气体浓度的增加而增加,随样品温度的下降而升高;如果在同步辐射光照射下,用SF6和O2的混合气体作为反应气体,刻蚀过程将停止在SiO2/Si界面,即不对硅刻蚀,实现了同步辐射对硅和二氧化硅两种材料的选择性刻蚀;另外,钴表现出强的抗刻蚀能力,是一种理想的同步辐射光掩模材料.