Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与特性研究

作     者：王华 Wang Hua(Department of Communication and Information Engineering, Guilin Unive rsity of Electronic Technology, Guilin\ 541004, China)

作者机构：桂林电子工业学院通信与信息工程系桂林541004 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2004年第53卷第4期

页      面：1265-1270页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :50 2 6 2 0 0 1 ) 广西壮族自治区自然科学基金 (批准号 :0 2 36 0 6 2 )资助的课题~~ 

主　　题：铁电薄膜 钛酸铋 退火处理 C-V特性 薄膜生长 剩余极化率 

摘      要：采用sol_gel工艺 ,在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜 .研究了Si基Bi4Ti3O12 薄膜的生长行为、铁电性能、C_V特性和疲劳特性 .研究表明 :Si基Bi4Ti3O12 薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势 ;退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变Si基Bi4Ti3O12 薄膜的铁电性能 ;Ag Bi4Ti3O12 p_Si异质结的C_V特性曲线呈现顺时针回滞 ,可以实现极化存储 ;10 9次极化反转后Bi4Ti3O12 薄膜的剩余极化仅下降 12 % 。