咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >高优值系数In_4Se_3多晶的制备及其热电输运特性 收藏

高优值系数In_4Se_3多晶的制备及其热电输运特性

Preparation and Thermoelectric Transport of Polycrystalline In_4Se_3 with High Figures of Merit

作     者:赵然 马立民 郭福 胡扬端瑞 舒雨田 ZHAO Ran;MA Li-Min;GUO Fu;HU Yang-Duan-Rui;SHU Yu-Tian

作者机构:北京工业大学材料科学与工程学院北京100124 

出 版 物:《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期:2015年第30卷第3期

页      面:249-255页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:北京市人事局留学人员科技活动择优资助项目(Q2009012200801) 

主  题:In4Se3 热电性能 真空熔炼 退火 

摘      要:分别采用不同的熔炼、退火工艺,结合放电等离子烧结方法制备了块状多晶In4Se3热电材料。研究了熔炼时间和退火时间对材料物相、成分、显微结构及热电性能的影响。熔炼后铸锭中存在In及In Se杂相,Se缺失量随熔炼时间的延长而增加,使得样品载流子浓度增大,电导率有所提高,熔炼48 h样品ZT值相对较高。在确定熔炼工艺的基础上,进行不同时间的退火处理后,In Se相消失,显微结构中分布有较大尺寸的台阶状结构,这种台阶状结构有利于降低热导率,而对电导率无明显影响。实验结果表明:一定程度延长熔炼时间、退火时间对提高样品的热电性能有积极作用,其中熔炼48 h再退火96 h后的样品ZT值最高,在702 K达到0.83,比文献值提高约32%。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分