HepG2细胞电转染条件的优化

作     者：张禾璇 何燕 张婷 王婵娟 单可人 官志忠 ZHANG He-xuan;HE Yan;ZHANG Ting;WANG Chan-juan;SHAN Ke-ren;GUAN Zhi-zhong

作者机构：贵阳医学院分子生物学重点实验室贵阳550004 

出 版 物：《山东医药》 (Shandong Medical Journal)

年 卷 期：2013年第53卷第42期

页      面：1-4,8页

学科分类：1002[医学-临床医学] 100214[医学-肿瘤学] 10[医学] 

基　　金：国家"十二五"科技支撑计划项目(2013BAI05B03) 

主　　题：电转染 HepG2细胞 转染效率 pcDNA3 1-EGFP 

摘      要：目的优化HepG2细胞电转染条件,进一步提高HepG2细胞的转染效率。方法采用电穿孔方法将pcDNA3.1-EGFP导入HepG2细胞中,在500μL电转染体系中,在不同电场强度、细胞数目、脉冲频率、脉冲时间、电转质粒数目、电转缓冲液、培养基血清浓度条件下,分别将pcDNA3.1-EGFP质粒电转染HepG2细胞,检测不同条件下细胞存活率和转染率。结果电转前4℃孵育电转体系混合液10 min,方波电转条件在1个电脉冲、电压270V、细胞数为2×106个、质粒20μg、脉冲时间20 ms、电转缓冲液为优化缓冲液、电转后置于37℃、含15%FBS的DMEM高糖培养基中培养48 h,可获得高转染率(60.68±1.87)%。结论优化电穿孔法的电转染条件能够有效提高HepG2细胞的电转染效率。本研究为外源基因电转染HepG2细胞提供了可靠的试验参数。