铯溅射负离子源负离子发射过程的理论分析
THEORETIC ANALYSIS OF THE EMISSIVE PROCESS OF NEGATIVE IONS IN CESIUM SPUTTER NEGATIVE ION SOURCES作者机构：西安交通大学空军电讯工程学院
出 版 物：《西安交通大学学报》 (Journal of Xi'an Jiaotong University)
年 卷 期：1990年第24卷第4期
页 面：109-115页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：本文采用改进的偶极层模型和量子理论,研究了铯溅射负离子源中负离子形成机理,给出了吸附铯原子层的金属表面功函数变化及电子转移几率公式,并用量子隧道模型导出负离子形成几率,计算了负离子产额和引出束流强.其结果与实验值基本相符.与测量值相比,比 Alton 的计算结果要好,且计算过程简单.它为溅射型负离子源机理研究提供了一种理论模式.
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