抗辐照CMOS放大器集成电路设计技术(英文)

作     者：赵源 徐立新 陈亮亮 赵琦 MC Tang 

作者机构：北京理工大学北京100081 中国空间技术研究院北京100094 奥地利ams AG公司 

出 版 物：《仪器仪表学报》 (Chinese Journal of Scientific Instrument)

年 卷 期：2016年第37卷第S1期

页      面：124-130页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 

主　　题：放大器 抗辐射 转角噪声 

摘      要：抗辐射CMOS放大器集成电路作为航天器的核心应用元器件越来越多用在宇航领域。为了更好地研究宇宙辐射环境中航天器抗辐照CMOS放大器集成电路性能和各种效应,并在太空辐射所产生机制的基础上,从工艺和设计方面提出了抗辐照CMOS放大器集成电路抗辐照加固设计方法。在太空环境中,航天器中的集成电路存在CMOS元器件的线性跨导gm减小、阈值电压偏离、转角1/f噪声幅值增加和衬底的漏电流增加。所以提出了新的抗辐照CMOS放大器集成电路的抗辐照集成电路的加固方法。通过该设计方法研制了抗辐照CMOS放大器集成电路,经过测试验证满足航天应用的要求。