涂硼电离室中子探测效率和灵敏度

作     者：陈国云 魏志勇 辛勇 方美华 黄三玻 黄国庆 CHEN Guo-yun;WEI Zhi-yong;XIN Yong;FANG Mei-hua;HUANG San-bo;HUANG Guo-qing

作者机构：南昌大学物理系江西南昌330031 南京航空航天大学江苏南京210016 

出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期：2011年第45卷第2期

页      面：244-249页

核心收录：

学科分类：082704[工学-辐射防护及环境保护] 08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 

主　　题：涂硼电离室 灵敏度 探测效率 中子 

摘      要：从电离室工作原理导出了平板型涂硼中子电离室探测效率及灵敏度的计算公式,并求得其热中子探测效率和灵敏度。电离室对热中子探测效率饱和值为1.35%,灵敏度饱和值为9.65×10-1 ***-2.s-1,与已有公式所得结果8.43×***-2.s-1相近。α粒子和Li离子对探测效率的贡献相差不大,但α粒子对灵敏度的贡献占主导地位。适当的硼膜厚度、慢化快中子、选用浓缩硼均有利于提高涂硼电离室探测效率和灵敏度。