溶胶-凝胶VO_2薄膜转换特性研究
Switching property of sol-gel vanadium oxide thin films作者机构:江苏石油化工学院信息科学系功能材料实验室常州213016 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050
出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:2002年第51卷第4期
页 面:852-856页
核心收录:
学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
基 金:中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室资助的课题~~
摘 要:利用溶胶 凝胶法在SiO2 Si衬底上沉积高取向的V2 O5薄膜 ,在压强低于 2Pa ,温度高于 40 0℃的条件下 ,对V2 O5薄膜进行真空烘烤 ,获得了电阻率变化 3个数量级以上、弛豫宽度为 6 2℃的VO2 多晶薄膜 .以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据 ,详细分析了溶胶 凝胶薄膜在真空烘烤时从V2 O5向VO2 的转化 ,它经历了从VnO2n +1 (n =2 ,3,4,6 )到VO2 的过程 .实验证明 ,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶 凝胶V2 O5结构向VO2