硅掺杂TiO2纳米管阵列的制备及光电催化活性的研究

作     者：吴建生 宿艳 陈硕 全燮 WU Jian-sheng;SU Yan;CHEN Shuo;QUAN Xie

作者机构：大连理工大学环境与生命学院工业生态与环境工程教育部重点实验室辽宁大连116024 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2009年第40卷第9期

页      面：1429-1431,1435页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(20507003) 

主　　题：TiO2纳米管阵列 硅掺杂 光电催化 

摘      要：通过电化学沉积,在阳极氧化法制备的高度有序TiO2纳米管阵列表面均匀地沉积Si元素。扫描电子显微照片显示Si掺杂的TiO2纳米管垂直于基底定向生长。X射线衍射分析表明,所引入的Si可能掺入到TiO2的晶格中,因而提高了TiO2的热稳定性,抑制了金红石相的生成及晶粒的长大。紫外-可见漫反射分析表明Si掺杂的TiO2纳米管吸收边带发生了明显的蓝移,并且在紫外区的吸收强度明显增强。与未掺杂的TiO2纳米管相比,Si掺杂TiO2纳米管电极的紫外光电化学响应显著提高,其光电流密度是未掺杂的1.48倍。硅掺杂TiO2纳米管阵列光电催化降解五氯酚的动力学常数(1.651h-1)是未掺杂TiO2纳米管电极(0.823h-1)的2.0倍。