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MOS结构的质子辐照效应

THE PROTON RADIATION EFFECT OF MOS STRUCTURE

作     者:顾美渔 邢强华 王传珊 周树鑫 

作者机构:上海科技大学上海201800 上海射线应用所上海201800 

出 版 物:《辐射研究与辐射工艺学报》 (Journal of Radiation Research and Radiation Processing)

年 卷 期:1992年第10卷第4期

页      面:207-210页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

主  题:质子 辐射效应 MOS集成电路 

摘      要:利用微分电容法和禁带中央电压漂移技术,研究了铝栅MOS结构质子辐照诱发的新生界面陷阱和氧化层陷阱结构。结果表明,质子辐照所诱发的新生界面陷阱和氧化层陷阱随质子能量和剂量的增加而增加。用H^+二级过程模型和计算机模拟定性解释了实验结果。

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