PZT厚膜与Si衬底互扩散阻挡层研究

作     者：陈冲 吴传贵 彭强祥 罗文博 张万里 王书安 CHEN Chong;WU Chuangui;PENG Qiangxiang;LUO Wenbo;ZHANG Wanli;WANG Shu' an

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 四川汇源科技股份有限公司四川成都610054 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2013年第35卷第2期

页      面：261-264页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51102037) 

主　　题：锆钛酸铅(PZT)厚膜 直流磁控溅射 TiOx 热释电性能 

摘      要：在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,利用电泳沉积制备PZT热释电厚膜材料。为防止Pb和Si互扩散,在Pt底电极与SiO2/Si衬底间通过直流磁控溅射制备了TiOx薄膜阻挡层。对具有0、300nm和500nm TiOx阻挡层的PZT厚膜材料用SEM和能量色散谱仪(EDS)表征了Pb和Si互扩散情况,用动态热释电系数测量仪测试了热释电系数。结果表明,当TiOx阻挡层为500nm时,可阻挡Pb和Si互扩散,热释电性能最好。热释电系数p=1.5×10-8 ***-2.K-1,相对介电常数εr=170,损耗角正切tanδ=0.02,探测度优值因子Fd=1.05×10-5Pa-0.5。