石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成
High-k gate oxides integration of graphene based infrared detector作者机构：复旦大学微电子研究院集成电路与系统国家重点实验室上海200433
出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期：2012年第31卷第2期
页 面：118-121,158页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(61076114) 国家科技重大专项(2011ZX02707-3)~~
摘 要：从石墨烯发现与制备出发,综述了室温下双层石墨烯或石墨烯带禁带在0～250 meV可调的特性,及其在中远红外探测器的背栅、顶栅结构中作为栅氧形成材料的应用,并介绍了目前各种先进工艺.
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