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(Ce_(0.9)Nd_(0.1))_(1-x)Mo_xO_(2-δ)(0.00≤x≤0.10)的合成、表征与电性能(英文)

Synthesis, Characterization and Electrical Properties of (Ce_(0.9)Nd_(0.1))_(1-x)Mo_xO_(2-δ)(0.00≤x≤0.10)

作     者:夏燕杰 周德凤 孟健 XIA Yan-Jie;ZHOU De-Feng;MENG Jian

作者机构:长春工业大学化学与生命科学学院长春130012 中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理国家重点实验室长春130022 

出 版 物:《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期:2009年第25卷第7期

页      面:1415-1420页

核心收录:

学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基  金:supported by the National Natural Science Foundation of China (20671088, 20871023) Science Research Foundation of Jilin Province, China (20070510) 

主  题:钕掺杂氧化铈 氧化钼 微观结构 晶界电导率 

摘      要:采用溶胶-凝胶法合成(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00、0.02、0.05、0.10)氧化物,通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能.结果表明:所有样品均为单一萤石立方结构;少量MoO3的加入提高了材料的致密性,降低了材料的总电阻、晶界电阻和晶界电阻在总电阻中所占比例,提高了材料的电导率.1200℃烧结样品24h,测试温度700℃时,(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00)总电导率和晶界电导率分别为0.05和0.19S·m-1,掺Mo材料(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.02)的总电导率和晶界电导率分别为2.42和3.96S·m-1.

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