衬底和O_2/Ar气体比例对ZnO薄膜结构及性能的影响

作     者：李俊红 汪承灏 徐联 LI Jun-hong;WANG Cheng-hao;XU Lian

作者机构：中国科学院声学研究所声学微机电系统实验室北京100080 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2008年第39卷第1期

页      面：79-82页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90607003) 中国科学院知识创新工程资助项目(20002A01) 

主　　题：ZnO c轴取向 微观结构 电阻率 

摘      要：采用直流磁控溅射法沉积了ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜等手段对薄膜的晶体结构和微观相貌进行了分析,并对薄膜的电学性能进行了考察。结果表明:所制备薄膜沿c轴高度择优,并具有较高的电阻率;ZnO薄膜的沉积速率和c轴择优度是由O2/Ar气体比例和衬底共同决定的;Au衬底上的ZnO薄膜以三维生长为主,在Al和Si衬底上出现了不同程度的薄膜二维生长;电阻率随O2/Ar气体比例的提高逐渐增加,Si衬底上薄膜的电阻率高于Al和Au衬底上的。