钙钛矿铁电纳米片诱导的P(VDF-TrFE)取向生长（英文）

作     者：刘金 麦江泉 李诗 任召辉 李铭 武梦娇 吴勇军 路新慧 李翔 田鹤 王宗荣 韩高荣 LIU Jin;MAI Jiang-Quan;LI Shi;REN Zhao-Hui;LI Ming;WU Meng-Jiao;WU Yong-Jun;LU Xin-Hui;LI Xiang;TIAN He;WANG Zong-Rong;HAN Gao-Rong

作者机构：浙江大学硅材料国家重点实验室唐仲英传感材料及应用研究中心材料科学与工程学院浙江杭州310027 香港中文大学物理系香港新界999077 浙江大学电子显微镜中心硅材料国家重点实验室材料科学与工程学院浙江杭州310027 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2017年第33卷第6期

页      面：1261-1266页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：supported by the National Natural Science Foundation of China(51232006,51472218) the National Key Basic Research Special Foundation,China(973)(2015CB654901) Fundamental Research Funds for the Central Universities,China(2016FZA4005) RGC of Hong Kong GRF(14303314) CUHK Direct Grant,China(4053128)~~ 

主　　题：P(VDF-TrFE) PbTiO3 纳米片 取向生长 铁电性 

摘      要：半结晶的铁电聚合物在柔性电子器件中极具应用前景,控制晶相生长对其性能优化至关重要。本文通过引入少量(0.2%)单晶单畴的PbTiO_3纳米片对P(VDF-TrFE)(简称PVTF)铁电薄膜的生长进行有效调节,获得了高度取向的铁电薄膜且铁电性能得到了大幅提高。PbTiO_3纳米片铁电极化对PVTF极性分子的诱导作用可能是薄膜取向生长与性能提高的原因。