毫米波GaN HEMT器件大信号模型
Large Signal Equivalent Circuit Modeling of Millimeter Wave GaN HEMT作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2017年第37卷第2期
页 面：73-76页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金资助项目(61474101 61504125) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA016802 2015AA033305)
主 题：符号定义器件 GaN高电子迁移率晶体管 大信号模型
摘 要：介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。
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