1310nm大功率低噪声DFB激光器设计

作     者：冯琛 张靖 田坤 王培界 黄茂 FENG Chen;ZHANG Jing;TIAN Kun;WANG Peijie;HUANG Mao

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2014年第35卷第4期

页      面：577-580,632页

学科分类：0808[工学-电气工程] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：大功率 低RIN 非对称SCH DFB激光器 

摘      要：对工作波长为1 310nm的大功率低噪声DFB激光芯片结构进行了优化设计。分别对具有相同非对称分别限制层（SCH）外延层的掩埋异质结构（BH）和脊波导结构（RWG）进行了建模仿真。计算结果表明：非对称SCH结构较对称SCH结构,可明显提高激光输出功率;相比于RWG结构,BH结构对载流子有更好的限制作用,从而降低相对强度噪声（RIN）。优化设计后的DFB激光器输出功率高达207mW@600mA,斜率效率为0.36W/A,边模抑制比为50dB,在1~30GHz范围内,激光器的相对强度噪声小于-160dB/Hz。