(Cs,O)/GaAs热退火的变角XPS定量研究
QUANTITATIVE STUDY ON(Cs,O)/GaAs UNDER ANNEALING BY ANGULAR DEPENDENT XPS作者机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院江苏南京210094
出 版 物：《真空与低温》 (Vacuum and Cryogenics)
年 卷 期：2001年第7卷第1期
页 面：58-62页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：变角X射光电子能谱 光电阴极 层结构 热退火 砷化镓
摘 要：用变角 X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了 GaAs光阴极的表面及其在热退火后的效应，首次定量地计算了 (Cs,O)/GaAs系统的表面 (Cs,O)层和界面 (Ga,As)弛豫层的厚度和组分。 (Cs,O)/GaAs系统在 625～ 650℃的热退火后， (Ga,As)驰豫层厚度减薄， Ga,As的原子浓度增大；且消除了 O与 As的化学连接。
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