足底电击诱导树鼠句条件恐惧记忆模型的建立及抹除

作     者：郭呈斌 张晨 王烈成 Guo Chengbin;Zhang Chen;Wang Liecheng

作者机构：安徽医科大学基础医学院生理学教研室合肥230032 北京大学生命科学学院生物膜与膜生物工程国家重点实验室北京100871 

出 版 物：《安徽医科大学学报》 (Acta Universitatis Medicinalis Anhui)

年 卷 期：2015年第50卷第10期

页      面：1426-1430页

学科分类：0710[理学-生物学] 07[理学] 071006[理学-神经生物学] 

基　　金：国家自然科学基金(编号:81071075) 生物膜与膜生物工程国家重点实验室开放课题 

主　　题：树鼩 足底电击 条件恐惧记忆形成和抹除 明暗箱 

摘      要：目的探索足底电击诱导树鼩条件恐惧记忆模型的建立及抹除方法。方法测定在无刺激条件下,树鼩在明暗箱中的活动规律;然后用梯度刺激实验测定合适的足底电击电压;最后用合适的电压通过足底电击诱导并建立实验组树鼩条件恐惧记忆模型并抹除其记忆。结果正常条件下,树鼩(n=4)在暗箱中的停留时间明显多于明箱中的停留时间(P0.01);在两明箱中,足底电压梯度刺激实验显示,随着刺激电压的增加,树鼩(n=6)在有刺激的隔间中的停留时间逐渐减少。12 V以后树鼩在有刺激隔间与无刺激隔间的停留时间差异有统计学意义[12 V(P0.05)、16 V(P0.01)、20 V(P0.01)];实验组(n=4)暗箱用16 V刺激电压足底电击能够形成明显的恐惧记忆(P0.001)。在形成明显的恐惧记忆后,在明箱中给予相应的足底电击4 d,实验组(n=4)树鼩在明箱中停留的时间逐渐减少,与对照组比较差异无统计学意义。结论树鼩更趋于停留在暗箱中;16V为较为适合的足底电击电压;条件恐惧记忆能够被诱导并且被新的刺激完全抹除。