化学气相沉积法硅薄膜的制备及其性能
Preparation and properties of silicon films by CVD作者机构：大连工业大学轻工与化学工程学院辽宁大连116034
出 版 物：《大连工业大学学报》 (Journal of Dalian Polytechnic University)
年 卷 期：2017年第36卷第2期
页 面：106-108页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：运用化学气相沉积技术在不锈钢表面沉积了一层致密的硅薄膜,研究了沉积温度及硅烷气体压力对硅薄膜性能的影响。对沉积的硅薄膜进行了EDS能谱分析,通过SEM扫描电镜对硅薄膜微观形貌进行表征,并对沉积硅薄膜的不锈钢样品进行电化学分析,研究了硅薄膜对不锈钢抗腐蚀性能的影响。结果表明,化学气相沉积温度为390℃、硅烷气压为10kPa时金属表面形成的硅薄膜防腐性能最佳。
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