利用干涉光刻技术制备LED表面微纳结构

作     者：程俊超 刘宏伟 耿照新 郭凯 于丹丹 宁平凡 李晓云 张建新 CHENG Jun-chao;LIU Hong-wei;GENG Zhao-xin;GUO Kai;YU Dan-dan;NING Ping-fan;LI Xiao-yun;ZHANG Jian-xin

作者机构：天津工业大学电子与信息工程学院天津300387 天津市光电检测技术与系统重点实验室天津300387 中国科学院半导体研究所北京100083 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2017年第38卷第4期

页      面：470-476页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：天津市自然科学基金(14JCQNJC01000) 国家自然科学基金(11404239 61575144 61504093) 集成光电子学国家重点联合实验室开放课题(IOSKL2014KF15)资助项目~~ 

主　　题：干涉光刻 周期结构 发光二极管 光提取 

摘      要：为了制备大面积周期性微纳米结构以提高LED的发光效率,建立了劳厄德(Lloyd)干涉光刻系统。简单分析了该干涉光刻系统的工作原理,并介绍了利用干涉曝光工艺制备一维光栅、二维点阵、孔阵列等纳米结构图形的具体实验过程。最后对纳米图形进行结构转移,制备出了金属纳米结构。实验结果表明:利用劳厄德干涉光刻系统,可以在20 mm×20 mm大小的ITO衬底上稳定制备出周期为450 nm的均匀光栅或二维点阵列图形结构,它们的占空比也是可以调节变化的。