在反应磁控溅射过渡区制备高反射膜的工艺控制

作     者：张盛武 黄烽 李明 宋秋明 谢斌 王海千 赵东锋 陈旸 姜友松 宋亦周 Zhang Sheng-wu;Huang Feng;Li Ming;Song Qiu-ming;Xie Bin;Wang Hai-qian;Zhao Dong-feng;Chen Yang;Jiang You-song;Song Yi-zhou

作者机构：中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室USTC-Shincron先进薄膜工艺材料联合实验室安徽合肥230026 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室、化学物理系安徽合肥230026 Shincron株式会社日本品川东京114-0011 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2009年第36卷第1期

页      面：198-204页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(50772109)资助项目 

主　　题：薄膜 反应磁控溅射 过渡区 高反膜 

摘      要：用反应磁控溅射法制备了Ta2O5和SiO2的单层膜和多层高反射薄膜,研究了在过渡区制备高质量光学薄膜的影响因素和机制,探讨了制备高质量光学薄膜的工艺,并引入了一种结合拟合方法的被动控制技术来实现在磁控溅射过渡区制备高质量的光学多层膜。结果表明,在反应磁控溅射过渡区制备的光学薄膜不仅具有比氧化区更高的沉积速率,而且具有更高的折射率和更低的光损耗。在过渡区镀制光学多层膜时速率的变化与溅射电压的漂移有关,并且可以通过监测溅射电压随时间的变化结合拟合算法加以修正。在表面均方根粗糙度为0.56 nm的石英基片上,采用过渡区镀膜和膜厚修正制备了40层的Ta2O5/SiO2高反膜,通过光腔衰荡光谱方法测得的反射率达到99.96%。