GaN基薄膜LED倒装芯片表面结构设计及光萃取效率研究

作     者：齐赵毅 胡晓龙 王洪 QI Zhao-yi HU Xiao-long WANG Hong

作者机构：华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心广东广州510640 华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2017年第38卷第3期

页      面：338-346页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863)(2014AA032609) 国家自然科学基金(61404050) 广东省重大科技专项(2014B010119002) 广东省应用型科技专项资金重大项目(2015B010127013) 广州市产学研协同创新重大专项项目(201504291502518)资助~~ 

主　　题：倒装薄膜LED FDTD 光萃取效率 光子晶体 六棱锥 

摘      要：利用FDTD方法研究具有表面微纳结构氮化镓基倒装薄膜LED芯片的光萃取效率。通过优化表面结构并研究了器件的光萃取效率随p-Ga N层厚的变化。研究发现,具有表面光子晶体和六棱锥结构的器件的光萃取效率最大值比无表面微结构器件分别提高了56%和97%。尽管两种表面结构都能有效提高器件的光萃取效率,然而采用光子晶体的方案对p-Ga N厚度和腔长要求极为苛刻。采用六棱锥结构则不仅可以获得更高的光萃取效率,并且还将大大降低实验上材料外延生长及器件制备的难度。