超连续谱光源辐照可见光CMOS图像传感器的实验研究

作     者：王景楠 聂劲松 Wang Jingnan;Nie Jinsong

作者机构：电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室安徽合肥230037 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2017年第46卷第1期

页      面：120-125页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0802[工学-机械工程] 0803[工学-光学工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：脉冲功率激光技术国家重点实验室基金(SKL2014ZR09) 

主　　题：超连续谱 锁模激光 CMOS 激光干扰对比 

摘      要：研究了超连续谱光源对可见光CMOS图像传感器辐照的实验现象和规律。观察到随着入射激光功率的不断增大,CMOS图像传感器依次出现了像元饱和、局部饱和、局部过饱和以及全屏饱和等现象。与1 060 nm锁模光纤激光辐照同种图像传感器的实验相对比,从有效干扰面积、图像相关度及图像均方差等三个方面,对比了两种干扰源在影响CMOS图像传感器成像质量方面的异同,发现CMOS图像传感器的响应特性、激光的频谱特性和成像光学系统的色散是导致干扰效果差异的主要原因。