CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展

作     者：王祖军 刘静 薛院院 何宝平 姚志斌 盛江坤 WANG Zujun;LIU Jing;XUE Yuanyuan;HE Baoping;YAO Zhibin;SHENG Jiangkun

作者机构：西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2017年第38卷第1期

页      面：1-7页

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程] 

基　　金：国家自然科学基金项目(11305126 11235008) 国家重点实验室基金项目(SKLIPR1211) 

主　　题：CMOS图像传感器 总剂量效应 辐照损伤 抗辐射加固技术 

摘      要：CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面,综述了CIS总剂量辐照效应研究进展。从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展。分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展相关研究提供理论指导。