一种非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的计算方法

作     者：魏浩 孙凤举 呼义翔 梁天学 丛培天 邱爱慈 Wei Hao Sun Feng-Ju Hu Yi-Xiang Liang Tian-Xue Cong Pei-Tian Qiu Ai-Ci

作者机构：西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2017年第66卷第3期

页      面：347-354页

核心收录：

学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 08[工学] 081001[工学-通信与信息系统] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11505138 51577156)资助的课题 

主　　题：磁绝缘感应电压叠加器 注入电流非均匀分布 非轴对称磁绝缘 电子鞘层边界 

摘      要：长距离磁绝缘传输线内电极偏心、感应腔注入电流非均匀分布引起电子鞘层边界偏心等非对称磁绝缘特性.电子鞘层边界是研究非轴对称磁绝缘特性的重要参数.本文提出一种计算非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的方法.通过引入角向非均匀分布的模数,将经典一维轴对称Creedon稳态磁绝缘理论推广应用于圆柱坐标系下二维(r,θ)平面.建立了感应电压叠加器次级非轴对称磁绝缘的二维Creedon物理模型,给出了非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的数值计算方法和计算误差.当阴极角向磁场(阴极电流)角向分布满足余弦函数时,电子鞘层边界接近高斯分布.阴极电流角向不均匀程度越大,电子鞘层边界偏心程度越严重,计算误差越大.