利用Sb掺杂提高SnO_2基热线型气体传感器响应值
Improvement on the response value of SnO_2 based hot-wire gas sensor by Sb doping作者机构:郑州大学化工与能源学院郑州450001
出 版 物:《化工新型材料》 (New Chemical Materials)
年 卷 期:2017年第45卷第2期
页 面:204-206页
学科分类:080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0802[工学-机械工程]
基 金:国家新型电子元器件专项(2008-1436) 教育部留学回国人员基金(2012-940) 河南省产学研合作(142107000003) 河南省教育厅重点(14A5300)
摘 要:以SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为前驱体,采用共沉淀法制备了Sb掺杂SnO_2纳米复合材料(ATO),并用X射线和扫描电镜对粉末进行了表征。考察了Sb掺杂对SnO_2基热线型气体传感器的气敏性能影响,并分析了气敏机理。结果显示:6%Sb掺杂的ATO材料粒径减小至3.5nm,Sb的掺杂抑制了SnO_2材料晶粒的生长;Sb掺杂能有效提高SnO_2基热线型气体传感器响应值,6%Sb掺杂使SnO_2基传感器对0.1%H_2的最佳响应值从115mV提高到了435mV;工作电压为3.5V时,响应和恢复时间分别小于10和30s。机理分析表明:Sb掺杂降低了SnO_2气敏材料的电阻,从而提高了SnO_2基传感器的响应值。