电磁干扰对智能高压开关二次设备的影响研究

作     者：张一茗 李少华 金光耀 于同伟 郭煜敬 宋亚凯 ZHANG Yiming;LI Shaohua;JIN Guangyao;YU Tongwei;GUO Yujing;SONG Yakai

作者机构：平高集团有限公司河南平顶山467001 辽宁省电力科学研究院沈阳110006 

出 版 物：《高压电器》 (High Voltage Apparatus)

年 卷 期：2017年第53卷第2期

页      面：191-198页

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 080802[工学-电力系统及其自动化] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 

主　　题：电磁干扰 智能高压开关 二次设备 暂态地电位升 

摘      要：智能一次设备在智能变电站的推广应用,为电力系统引入了大量的二次设备,其工作于一次设备产生的强电磁干扰环境中,易于受到一次设备侧强干扰的影响而发生故障。由隔离开关触头操作引起的暂态地电位升高,其产生的过电压幅值更高,对二次设备可能产生的干扰也更大。文中对252 kV智能GIS隔离开关开合母线充电电流试验中二次设备信号线上产生的电磁干扰进行了测量,并对数据进行了分析,表明:TEV传播至二次设备处会造成比较高度耦合电压,试验中实测超过1 kV,可能造成二次设备的误动或故障;采用浪涌保护器吸收二次设备信号传输线上的电压行波,能够有效降低正负两方向的最大电压幅值,抑制效果超过30%。