金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f^2噪声统一模型
A unified model for 1/f noise and 1/f^2 noise due to electromigration in metal film作者机构：西安电子科技大学西安710071
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2002年第51卷第12期
页 面：2836-2841页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：统一模型 金属薄膜 1/^γ噪声 电迁移 自由体积 空调成核 超大集成电路
摘 要：应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜 1 f噪声与 1 f2 噪声的模型 .该模型表明 ,结构完整的多晶金属薄膜产生的电噪声为 1 f噪声 ,当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入 1 f2 噪声的成分 .在电迁移应力实验中 ,观察到金属薄膜 1 fγ噪声在空洞成核前γ约为 1 0 ,一旦发生空洞成核 ,即突增至 1 6以上 。
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