半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率
The Second-Order Nonlinear Susceptibility in Semiconductor Asymmetric Step Quantum Well Structure作者机构：西南交通大学应用物理系四川成都610031
出 版 物：《西南交通大学学报》 (Journal of Southwest Jiaotong University)
年 卷 期：2002年第37卷第2期
页 面：212-214页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
主 题：非线性光学 半导体物理 阶梯势阱 二阶非线性极化率 非对称阶梯量子阱结构 阱宽 势垒宽度
摘 要：为优化二次谐波产生器件的性能 ,研究和开发新的非线性光学材料 ,对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究。计算了共振增强效应下的二阶非线性光学系数 χ( 2 )2ω ,给出了 χ( 2 )2ω 随阱宽、阶梯的高度和宽度、势垒宽度、入射波长等因素变化的规律。
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