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Bi_2Ti_2O_7薄膜的自组装法制备及表征(英文)

Preparation and Characterization of Bi_2Ti_2O_7 Thin Films from Self-Assembled Monolayer Technique

作     者:夏傲 黄剑锋 谈国强 尹君 XIA Ao;HUANG Jian-Feng;TAN Guo-Qiang;YIN Jun

作者机构:陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室西安710021 

出 版 物:《无机化学学报》 (Chinese Journal of Inorganic Chemistry)

年 卷 期:2013年第29卷第7期

页      面:1545-1550页

核心收录:

学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基  金:国家青年科学基金(No.51002092) 陕西省自然科学基金(No.2010JM6013)资助项目 

主  题:Bi2Ti2O7 薄膜 自组装单层膜 介电性能 

摘      要:以Bi(NO3)3·5H2O和Ti(OC4H9)4为原料,采用自组装单层膜技术,在负载有功能化三氯十八烷基硅烷(octadecyl-trichloro-silane,OTS)的FTO基板上制备了Bi2Ti2O7薄膜。基板表面的亲水性测试表明,紫外照射使OTS自组装单层膜表面由疏水转变为亲水,实现功能化。借助X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分析分别对Bi2Ti2O7薄膜的组成、结构和微观形貌进行了表征。结果表明,沉积溶液浓度为0.02 mol·L-1时,所得Bi2Ti2O7薄膜均匀致密。560℃热处理1 h、厚度为0.4μm的Bi2Ti2O7薄膜在100 kHz的介电常数为153,介电损耗为0.089。

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