阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

作     者：胡劲波 支瑶 李启隆 Hu Jingbo;Zhi Yao;Li Qilong

作者机构：北京师范大学化学系 北京师范大学化学系 北京100875 

出 版 物：《分析化学》 (Chinese Journal of Analytical Chemistry)

年 卷 期：1999年第27卷第11期

页      面：1280-1283页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070302[理学-分析化学] 0703[理学-化学] 

基　　金：国家自然科学基金(No.29875003) 高等学校博士学科点专项科学基金(No.98002709)资助项目 

主　　题：阿霉素 电化学行为 离子注入 修饰电极 

摘      要：阿霉素在0.1mol/L HAc-NaAc（pH 4.62）缓冲溶液中用注入钴的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定,得到一良好的还原峰,E;=-0.522V（***）.峰电流与阿霉素浓度在1.4×10;～1.4×10;mol/L和1.4×10;～5.6×10;mol/L范围内呈线性关系.检出限为5.0×10;mol/L.并用于尿样的测定,得到满意的结果.用线性扫描和循环伏安法研究了体系的电化学行为及电极反应机理.电极反应属准可逆过程.用AES和XPS等表面分析技术检测了注入电极表面的元素组成、价态和深度分布,对离子注入电极的催化性质进行探讨.