全息曝光实现的20波长DFB半导体激光器阵列
Twenty-wavelength DFB semiconductor laser array realized by common holographic exposure作者机构：江苏省邮电规划设计院有限责任公司南京210019
出 版 物：《激光杂志》 (Laser Journal)
年 卷 期：2017年第38卷第1期
页 面：5-7页
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
主 题：DFB半导体激光器阵列 全息曝光 取样光栅
摘 要：报道了一种基于全息曝光技术实现的20波长分布反馈式(DFB)半导体激光器阵列。传统的DFB半导体激光器光栅一般是利用电子束曝光的方式来实现,这种方式精度较高,然而成本昂贵并且非常耗时,不适合大规模生产应用,而全息方式制作容易,成本很低,适合大规模生产应用。实验结果表明,利用全息曝光技术实现的DFB激光器阵列具有良好的光电特性,激光器阵列的波长偏差在-0.5 nm至0.45 nm,阈值电流在13m A至17 m A,斜效率为0.4 W/A;50 m A偏置电流下,边模抑制比都大于40 d B。
维普期刊数据库
同方期刊数据库