InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

作     者：刘诗涛 王立 伍菲菲 杨祺 何沅丹 张建立 全知觉 黄海宾 LIU Shi-tao;WANG Li;WU Fei-fei;YANY Qi;HE Yuan-dan;ZHANG Jian-li;QUAN Zhi-jue;HUANG Hai-bin

作者机构：南昌大学材料科学与工程学院江西南昌330031 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心江西南昌330047 南昌大学光伏研究院江西南昌330031 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2017年第38卷第1期

页      面：63-69页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(61564007 11364034) 江西省科技支撑计划(2014BE50035)资助项目~~ 

主　　题：InGaN/GaN多量子阱 发光二极管 载流子泄漏 量子效率 

摘      要：通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。