离散型 Hopfield 联想存储器k阶吸引子的鲁棒性分析
Robustness analysis of k order attractors in discrete Hopfield associative memory作者机构：清华大学自动化系
出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))
年 卷 期：1998年第38卷第9期
页 面：55-58页
核心收录：
学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程(可授管理学、工学学位)] 081104[工学-模式识别与智能系统] 08[工学] 0835[工学-软件工程] 0811[工学-控制科学与工程] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
摘 要：为对离散型Ｈｏｐｆｉｅｌｄ联想存储器（以下简称为ＤＨＡＭ）平衡点吸引域的鲁棒性进行理论探索，文章基于输入及权值实现误差或扰动同时作用的随机模型，采用统计学方法，推出了ＤＨＡＭ的ｋ阶吸引子（ｋ≥０）鲁棒性的通用计算方法。并针对正交样本经Ｈｅｂｂ规则构成的ＤＨＡＭ，进一步得到了该类网络ｋ阶吸引子鲁棒性的具体计算公式。仿真试验表明所得算法是正确的。讨论了这类ＤＨＡＭ结构及参数等对其ｋ阶吸引子鲁棒性的影响。
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