一种单电源高集成度蔡氏振荡器

作     者：高同强 孔卓 杨海钢 GAO Tongqiang;KONG Zhuo;YANG Haigang

作者机构：中国科学院电子学研究所北京100190 北京科技大学计算机与通信工程学院北京100083 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2016年第46卷第5期

页      面：680-684页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2012AA012301) 

主　　题：蔡氏电路 非线性电阻 CMOS工艺 单电源 

摘      要：二端非线性电阻的实现是研究蔡氏电路中混沌现象的一个重要环节,传统的非线性电阻大多采用正负电源供电的运放和电阻、电容等分立器件来搭建。在分析非线性电阻工作原理的基础上,提出采用单电源供电的集成电路制造工艺实现负阻器件的思想。设计的非线性负阻器件主要由轨到轨运算放大器、基准电压/电流产生等模块组成,并在0.18μm标准CMOS工艺下设计实现。仿真结果表明,在1.8V单电源工作模式下,蔡氏电路两个关键节点的李萨如波形表现为双螺旋吸引子,证明该振荡器电路有效,整个电路的功耗约为2.45mA。