Band-Inhomogeneity in GaAs Single Crystal Grown in Space
Band-Inhomogeneity in GaAs Single Crystal Grown in Space作者机构：中科院半导体所 北京
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1995年第16卷第2期
页 面：158-160页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
主 题：GaAs Band-Inhomogeneity in GaAs Single Crystal Grown in Space
摘 要：Ｂａｎｄ－ＩｎｈｏｍｏｇｅｎｅｉｔｙｉｎＧａＡｓＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｎｉｎＳｐａｃｅ￥ＺｈｏｕＢｏｊｕｎ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＴｈｅＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００...
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