具有高温度稳定性（T0=180K）的新型异质结InGaAsP/InP激光器
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：1983年第2期
页 面：110-112页
主 题：激光器 势阱 光激射器 电子器件 T0 InGaAsP/InP 异质结 半导体结
摘 要：本文提出并论证了一种新型异质结InGaAsP/InP激光器,即双载流子限制异质结（DCC-异质结）激光器的工作。这种激光器是通过在普通的InGaAsP/InP双异质结激光器的p-InP包层中嵌入一个p-InGaAsP第二势阱层的方法制作的。对于这种激光器获得了极好的阈值电流温度稳定性[当阈值电流随exp（T/T0）变化时,在20°～100℃的温度范围内T0是180K],并且得到了很高的外微分量子效率（在100℃时大于45％）。垂直于结平面的光束发散角也有很大改善（小于25°）。
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