R.F.平面磁控溅射ZnO压电薄膜的特性

作     者：T.Yamamoto T.Shiosaki A.Kawabata 肖韵雪 

作者机构：日本京都大学工程系电子部 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：1981年第3期

页      面：49-55+67页

主　　题：平面磁控溅射 淀积速率 射线衍射 ZnO R.F 

摘      要：用高淀积速率R.F.平面磁控溅射已制备出具有极好结晶取向和表面平整度的ZnO压电薄膜.通过X-射线衍射,扫描电子显微镜,反射式电子衍射,光测量和机电测量对这些薄膜进行了详细的研究.薄膜c-轴垂直于基片.c-轴取向的标准偏离角σ小于0.5°,σ的最小值为0.35°,溅射条件为气压5×10毛-3×10毛(予先混合好的Ar50%+O50%),基片温度300—350℃.厚度达48微米的ZnO薄膜已重复制得,膜的质量和平整度没有下降.这些薄膜表面的平整度类似于玻璃基片.对He-Ne6328埃线TE模来说,4.2微米厚薄膜的光波导损耗低至2.0分贝/厘米,溅射后不需要处理.在叉指换能器(IDT)/ZnO/玻璃和ZnO/IDT/玻璃结构两种情况下,有效表面波耦合系数大于ZnO/玻璃结构理论值的95%.